http://www.plasma.nagoya-u.ac.jp/platform/ WebNLDドライエッチング装置 (ULVAC社製) 磁気中性線プラズマ(NLD)による低圧・低電子温度・高密度プラズマのドライエッチングが可能。 仕様 プロセスガス Ar、O2、CF4、C4F8 プラズマ成膜 プラズマ支援原子層堆積装置 プラズマを用いて原子層での膜堆積を行う。 また、製膜中の膜質をその場・in-situ FTIRで評価することが可能です。 ラジカル …
JP2015099820A - SiC基板のエッチング方法 - Google Patents
WebJul 1, 2013 · Fig. 1 (a) represents the etch rate of HfO 2 thin film and the selectivity of HfO 2 to SiO 2 as a function of CF 4 /Ar gas mixing ratio. The etch rates of HfO 2 thin films in … WebSep 1, 2024 · The cheap CH 4-containing hydrogen mixtures are available in petrochemical industry and nevertheless, their usage is limited because of economic issue.We herein … san diego beer fest discount tickets
Application of Si and SiO2 Etching Mechanisms in …
http://www.jspf.or.jp/Journal/PDF_JSPF/jspf2007_04/jspf2007_04-330.pdf WebJun 4, 1998 · Admixing O 2 to CF 4 increases the gas phase fluorine density and increases the etch rate by roughly sevenfold to a maximum at an O 2 /CF 4 ratio of 0.15. The addition of small amounts of N 2 (N 2 /CF 4 =0.05) can again double this etch rate maximum. Strong changes in surface chemistry were also seen as a result of N 2 addition to CF 4 /O 2. Web絵画 油彩画 矢倉定夫 向日葵 H2.9.8 額 ... エデュアルド 1 32 アメリカ軍 F4U-1 バードケージ エンジン タミヤ 用 エッチングパーツ Eduard 32343 F4U-1 Birdcage engine tamiya IRIS 前柱60型什器 両面ネット W1200 W1200×D600 600×H2400 スタート 115161(1488244)[送料別途見積り][法人 ... shop vac model h87s550a parts